Наукова періодика України | Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics | ||
Starchyk M. I. Voids' layer structures in silicon irradiated with high doses of high-energy helium ions / M. I. Starchyk, L. S. Marchenko, M. B. Pinkovska, G. G. Shmatko, V. I. Varnina // Semiconductor physics quantum electronics & optoelectronics. - 2015. - Vol. 18, № 3. - С. 292-296. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2015_18_3_11 Structural and optical properties of single crystal silicon irradiated with 27,2 MeV helium ions by using fluences <$EPHI~symbol У~10 sup 16> ion/cm<^>2 Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Starchyk M. I. Voids' layer structures in silicon irradiated with high doses of high-energy helium ions / M. I. Starchyk, L. S. Marchenko, M. B. Pinkovska, G. G. Shmatko, V. I. Varnina // Semiconductor physics quantum electronics & optoelectronics. - 2015. - Vol. 18, № 3. - С. 292-296. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2015_18_3_11. Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |