Наукова періодика України Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics

Nasyrov M. U. 
Radiation-stimulated processes in silicon structures with contacts based on TiN / M. U. Nasyrov, A. B. Ataubaeva // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2015. - Vol. 18, № 2. - С. 220-225. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2015_18_2_22
The influence of irradiation on the structural properties of titanium nitride films deposited on silicon wafers has been considered. It has been shown that depending on the energy, fluence and type of irradiation ion, observed are the increase of accumulated damages with decreasing the grain size, the grain size reduction with increasing the fluence, the increase of dislocation density and microstrains.
  Повний текст PDF - 528.609 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Nasyrov M.
  • Ataubaeva A.

    • Бібліографічний опис для цитування:

    Nasyrov M. U. Radiation-stimulated processes in silicon structures with contacts based on TiN / M. U. Nasyrov, A. B. Ataubaeva // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2015. - Vol. 18, № 2. - С. 220-225. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2015_18_2_22.
      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського