Наукова періодика України Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics


Red'ko S. M. 
Influence of weak magnetic fields treatment on photoluminescence of GaN:Si / S. M. Red'ko // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2015. - Vol. 18, № 1. - С. 71-73. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2015_18_1_14
Long-term transformations in photoluminescence of GaAs single crystals treated with pulsed weak magnetic fields have been obtained. Treatments were performed in the multi-pulse (B = 60 mT, f = 10 Hz, <$Etau~=~1,2> ms, t = 5 min) regime. The defect structure transformations were inferred from the radiative recombination spectra within the range 0,6 to 2,5 pm at 300 and 77 K. A possible mechanism of the observed modifications related with electron-spin transformation is discussed.
  Повний текст PDF - 469.226 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Red'ko S.

  • Бібліографічний опис для цитування:

    Red'ko S. M. Influence of weak magnetic fields treatment on photoluminescence of GaN:Si / S. M. Red'ko // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2015. - Vol. 18, № 1. - С. 71-73. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2015_18_1_14.

      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського