Наукова періодика України | Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics | ||
Red'ko S. M. Influence of weak magnetic fields treatment on photoluminescence of GaN:Si / S. M. Red'ko // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2015. - Vol. 18, № 1. - С. 71-73. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2015_18_1_14 Long-term transformations in photoluminescence of GaAs single crystals treated with pulsed weak magnetic fields have been obtained. Treatments were performed in the multi-pulse (B = 60 mT, f = 10 Hz, <$Etau~=~1,2> ms, t = 5 min) regime. The defect structure transformations were inferred from the radiative recombination spectra within the range 0,6 to 2,5 pm at 300 and 77 K. A possible mechanism of the observed modifications related with electron-spin transformation is discussed. Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Red'ko S. M. Influence of weak magnetic fields treatment on photoluminescence of GaN:Si / S. M. Red'ko // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2015. - Vol. 18, № 1. - С. 71-73. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2015_18_1_14. Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |