A newly modified correlation equation between defect-related positron lifetime <$Etau sub 2> (ns) defined within two-state model and corresponding radius <$ER( roman A back 45 up 35 symbol Р)> of freevolume positron traps in the full non-linear form <$Etau sub 2 ~=~0,285~cdot~left [ {1~-~r over {R~+~5,50}~+~1 over {2 pi }~cdot~sin (2 pi R "/" (R~+~5,50)} right ] sup -1> or simplified linear-approximated form <$Etau sub 2 ~=~0,212~cdot~(1~+~0,244~cdot~R)> is proved to account for compositional trends in void volume evolution of chalcogenide semiconductor compounds like binary As-S(Se) glasses. Specific chemical environment of free-volume voids associated with neighbouring network-forming polyhedrons is shown to play a decisive role in this correlation, leading to systematically enhanced estimated void sizes in comparison with typical molecular substrates, such as polymers.

  Повний текст PDF - 1.914 Mb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"