Influence of weak magnetic fields treatment on photoluminescence of GaAs

Red'ko, S. M.


	Наукова періодика України		Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics

Red'ko S. M.
Influence of weak magnetic fields treatment on photoluminescence of GaAs / S. M. Red'ko // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2014. - Vol. 17, № 3. - С. 272-274. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2014_17_3_13

Long-term transformations in photoluminescence of GaAs single crystals treated with pulsed weak magnetic fields have been obtained. Treatments were performed in the multi-pulse (B = 60 mT, f = 10 Hz, <$Etau~=~1,2> ms, t = 5 min) regime. The defect structure transformations were inferred from the radiative recombination spectra within the range 0,6 to 2,5 pm at 300 and 77 K. A possible mechanism of the observed modifications related with electron-spin transformation is discussed.

Повний текст PDF - 1.423 Mb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Red'ko S.

Бібліографічний опис для цитування:

Red'ko S. M. Influence of weak magnetic fields treatment on photoluminescence of GaAs / S. M. Red'ko // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2014. - Vol. 17, № 3. - С. 272-274. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2014_17_3_13.

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача