Наукова періодика України Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics


Dobrovolskyi Yu. 
Photodiode based on epitaxial silicon with high sensitivity at the wavelength 254 nm / Yu. Dobrovolskyi, L. Pidkamin, V. Brus, V. Kuzenko // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2014. - Vol. 17, № 3. - С. 256-259. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2014_17_3_10
A mathematical model of the construction of silicon photodiode based on epitaxial structure enabling to regulate the absorption edge of silicon in the long-wave spectral range is presented. The suggested model allows calculating the construction that possesses low sensitivity for the wavelengths larger than 600 nm and maximal values near the wavelength 254 nm.
  Повний текст PDF - 1.813 Mb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Dobrovolskyi Y.
  • Pidkamin L.
  • Brus V.
  • Kuzenko V.

  • Бібліографічний опис для цитування:

    Dobrovolskyi Yu. Photodiode based on epitaxial silicon with high sensitivity at the wavelength 254 nm / Yu. Dobrovolskyi, L. Pidkamin, V. Brus, V. Kuzenko // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2014. - Vol. 17, № 3. - С. 256-259. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2014_17_3_10.

    Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
    (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
  • Брус Віктор Васильович (1987–) (технічні науки)
  •   Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського