Variation of optical parameters of multilayer structures with thin silicon layers at laser annealing

Okhrimenko, O. B.


	Наукова періодика України		Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics

Okhrimenko O. B.
Variation of optical parameters of multilayer structures with thin silicon layers at laser annealing / O. B. Okhrimenko // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2014. - Vol. 17, № 2. - С. 200-204. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2014_17_2_15

The experimental data on Raman scattering (RS) and optical absorption in structures with thin silicon layers on various substrates, as well as in multilayer quartz/Si/SiO2, SiC/Si/SiO2 and glass/Si3N4/Si/SiO2 structures, are summarized. It is shown that laser annealing on the above structures leads to changes in spectra of RS and optical transmission that can be explained within the critical action model. The value of critical action of laser radiation is determined for the structures studied.

Повний текст PDF - 1.933 Mb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Okhrimenko O.

Бібліографічний опис для цитування:

Okhrimenko O. B. Variation of optical parameters of multilayer structures with thin silicon layers at laser annealing / O. B. Okhrimenko // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2014. - Vol. 17, № 2. - С. 200-204. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2014_17_2_15.

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача