Наукова періодика України | Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics | ||
Tiagulskyi S. I. Electroluminescent properties of Tb-doped carbon-enriched silicon oxide / S. I. Tiagulskyi, A. N. Nazarov, S. O. Gordienko, A. V. Vasin, A. V. Rusavsky, T. M. Nazarova, Yu. V. Gomeniuk, V. S. Lysenko, L. Rebohle, M. Voelskow, W. Skorupa, Y. Koshka // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2014. - Vol. 17, № 1. - С. 34-40. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2014_17_1_9 An electroluminescent device utilizing a heterostructure of amorphous terbium doped carbon-rich SiO Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Tiagulskyi S. I. Electroluminescent properties of Tb-doped carbon-enriched silicon oxide / S. I. Tiagulskyi, A. N. Nazarov, S. O. Gordienko, A. V. Vasin, A. V. Rusavsky, T. M. Nazarova, Yu. V. Gomeniuk, V. S. Lysenko, L. Rebohle, M. Voelskow, W. Skorupa, Y. Koshka // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2014. - Vol. 17, № 1. - С. 34-40. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2014_17_1_9.Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |