Наукова періодика України | Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics | ||
Babentsov V. N. Dislocation emission caused by different types of nanoscale deformation defects in CdTe / V. N. Babentsov, V. A. Boyko, S. G. Gasan-zade, G. A. Shepelskii, S. V. Stariy // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2014. - Vol. 17, № 1. - С. 29-33. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2014_17_1_8 Dislocation-related defects induced by dislocation motion in p-CdTe were studied. Generation of "fresh" dislocations from the indented point of the CdTe (100), (110), and (111) surfaces at room temperatures was visualized by chemical etching and low temperature photoluminescence in a mapping regime. The crystallographic orientation of the dislocation rosettes of macroscopic plastic deformation lines was analyzed on the (100), (110), and (111) surfaces. Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Babentsov V. N. Dislocation emission caused by different types of nanoscale deformation defects in CdTe / V. N. Babentsov, V. A. Boyko, S. G. Gasan-zade, G. A. Shepelskii, S. V. Stariy // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2014. - Vol. 17, № 1. - С. 29-33. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2014_17_1_8.Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |