Наукова періодика України | Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics | ||
Gaidar G. P. Investigation of the influence of isovalent impurity of silicon and -irradiation (60Co) on electrophysical parameters of n-Ge Sb / G. P. Gaidar // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2014. - Vol. 17, № 1. - С. 25-28. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2014_17_1_7 The influence of isovalent impurity of Si on the kinetics of electron processes in <$E n- roman {Ge~symbol ... Sb symbol ъ}> single crystals has been investigated. It has been shown that in the region of predominant impurity scattering (at <$E T~symbol Ы~77,4> K), the presence of isovalent impurity significantly reduces the mobility of charge carriers and changes the sign of inequality <$E n sub e sub roman 300K~"/"~n sub e sub roman 77,4K~>>~1> characteristic of <$E n- roman {Ge~symbol ... Sb symbol ъ}> single crystals to the opposite one. It has found that in <$E n- roman {Ge~symbol ... Sb symbol ъ}> samples irradiated by <$E gamma>-rays (<^>60 Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Gaidar G. P. Investigation of the influence of isovalent impurity of silicon and -irradiation (60Co) on electrophysical parameters of n-Ge Sb / G. P. Gaidar // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2014. - Vol. 17, № 1. - С. 25-28. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2014_17_1_7. Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |