Mechanism of current flow and temperature dependence of contact resistivity in Au-Pd-Ti-Pd-n+-GaN ohmic contacts

Sachenko, A. V.; Belyaev, A. E.; Boltovets, N. S.; Kapitanchuk, L. M.; Klad'ko, V. P.; Konakova, R. V.; Kuchuk, A. V.; Korostinskaya, T. V.; Pilipchuk, A. S.; Sheremet, V. N.; Mazur, Yu. I.; Ware, M. E.; Salamo, G. J.


	Наукова періодика України		Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics

Sachenko A. V.
Mechanism of current flow and temperature dependence of contact resistivity in Au-Pd-Ti-Pd-n+-GaN ohmic contacts / A. V. Sachenko, A. E. Belyaev, N. S. Boltovets, L. M. Kapitanchuk, V. P. Klad'ko, R. V. Konakova, A. V. Kuchuk, T. V. Korostinskaya, A. S. Pilipchuk, V. N. Sheremet, Yu. I. Mazur, M. E. Ware, G. J. Salamo // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2013. - Vol. 16, № 4. - С. 313-321. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2013_16_4_3

We present the results of structural and morphological investigations of interactions between phases in the layers of Au-Pd-Ti-Pd-n<^>+-GaN contact metallization that appear at rapid thermal annealing (RTA). It is shown that formation of ohmic contact occurs in the course of RTA at <$E T~=~900~symbol Р roman C> due to formation of titanium nitride. We studied experimentally and explained theoretically the temperature dependence of contact resistivity <$E rho sub c (T)> of ohmic contacts in the 4,2 - 380 K temperature range. The <$E rho sub c (T)> curve was shown to flatten out in the 4,2 - 50 K range. As temperature grew, <$E rho sub c> decreased exponentially. The results obtained enabled us to conclude that current flow has field nature at saturation of <$E rho sub c (T)> and the thermofield nature in the exponential part of <$E rho sub c (T)> curve.

Повний текст PDF - 900.744 Kb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Бібліографічний опис для цитування:

Sachenko A. V. Mechanism of current flow and temperature dependence of contact resistivity in Au-Pd-Ti-Pd-n+-GaN ohmic contacts / A. V. Sachenko, A. E. Belyaev, N. S. Boltovets, L. M. Kapitanchuk, V. P. Klad'ko, R. V. Konakova, A. V. Kuchuk, T. V. Korostinskaya, A. S. Pilipchuk, V. N. Sheremet, Yu. I. Mazur, M. E. Ware, G. J. Salamo // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2013. - Vol. 16, № 4. - С. 313-321. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2013_16_4_3.

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

Саченко Анатолій Васильович (фізико-математичні науки)

Бєляєв Олександр Євгенович (1947–) (фізико-математичні науки)

Капітанчук Леонід Мусійович (фізико-математичні науки)

Капітанчук Леонiд Мусійович (технічні науки)

Конакова Раїса Василівна (1941–) (фізико-математичні науки)

Кучук Андріан Володимирович (1979–) (фізико-математичні науки)

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача