8H-, 10H-, 14H-SiC formation in 6H-3C silicon carbide phase transitions

Vlaskina, S. I.; Mishinova, G. N.; Vlaskin, V. I.; Rodionov, V. E.; Svechnikov, G. S.


	Наукова періодика України		Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics

Vlaskina S. I.
8H-, 10H-, 14H-SiC formation in 6H-3C silicon carbide phase transitions / S. I. Vlaskina, G. N. Mishinova, V. I. Vlaskin, V. E. Rodionov, G. S. Svechnikov // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2013. - Vol. 16, № 3. - С. 273-279. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2013_16_3_9

Повний текст PDF - 2.54 Mb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Бібліографічний опис для цитування:

Vlaskina S. I. 8H-, 10H-, 14H-SiC formation in 6H-3C silicon carbide phase transitions / S. I. Vlaskina, G. N. Mishinova, V. I. Vlaskin, V. E. Rodionov, G. S. Svechnikov // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2013. - Vol. 16, № 3. - С. 273-279. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2013_16_3_9.

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача