Наукова періодика України Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics

Kavetskyy T. S. 
Modified correlation equation in the FSDP-related void-based model for As2S(Se)3 chalcogenide glasses / T. S. Kavetskyy // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2013. - Vol. 16, № 2. - С. 136-139. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2013_16_2_9
Revised in this work is the correlation equation <$EQ sub 1 ~=~2,3~times~ pi "/" D> in the FSDP-related void-based model for As2S(Se)3 chalcogenide glasses between the first sharp diffraction peak (FSDP) position, <$EQ sub 1>, and nanovoid diameter, D, are modified to be presented in the form of <$EQ sub 1 ~=~1,75~times~ pi "/" D>, taking into account a newly deduced formula for positron lifetime, <$Etau sub 2>, versus void radius, R. It is valid for those molecular substrates for R up to <$E5~roman A up 15 back 45 symbol Р> and when no orthopositronium (<$Eomicron>-Ps) or very small fractions of <$Eomicron>-Ps components are observed in positron annihilation lifetime spectroscopy.
  Повний текст PDF - 970.6 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Kavetskyy T.

    • Бібліографічний опис для цитування:

    Kavetskyy T. S. Modified correlation equation in the FSDP-related void-based model for As2S(Se)3 chalcogenide glasses / T. S. Kavetskyy // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2013. - Vol. 16, № 2. - С. 136-139. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2013_16_2_9.
      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського