Наукова періодика України | Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics | ||
Gaidar G. P. Features of piezoresistance in heavily doped n-silicon crystals / G. P. Gaidar // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2013. - Vol. 16, № 1. - С. 80-83. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2013_16_1_14 It has been shown that in silicon single crystals heavily doped with arsenic the presence of the temperature gradient at the interface of the liquid and solid phases in the process of growing them from a melt does not lead to anisotropy of piezoresistance under the passing current both along the direction of deforming load (<$EJ~||~X~||~symbol ... 111 symbol ъ>) and perpendicularly to it (<$EJ~symbol <94>~X~||~symbol ... 111 symbol ъ>). This is considered as an evidence of the dominant influence of randomization in spatial distribution of dopant due to kT Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Gaidar G. P. Features of piezoresistance in heavily doped n-silicon crystals / G. P. Gaidar // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2013. - Vol. 16, № 1. - С. 80-83. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2013_16_1_14. Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |