Properties of CdSe heterolayers obtained by isovalent substitution on CdTe substrates

Makhniy, V. P.; Slyotov, М. М.; Tkachenko, I. V.; Slyotov, А. М.


	Наукова періодика України		Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics

Makhniy V. P.
Properties of CdSe heterolayers obtained by isovalent substitution on CdTe substrates / V. P. Makhniy, М. М. Slyotov, I. V. Tkachenko, А. М. Slyotov // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2012. - Vol. 15, № 4. - С. 338-339. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2012_15_4_8

Using the isovalent substitution method, CdSe heterolayers of cubic modification were obtained for the first time on single-crystal CdTe substrates, and their basic physical properties were studied.

Повний текст PDF - 1.136 Mb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Бібліографічний опис для цитування:

Makhniy V. P. Properties of CdSe heterolayers obtained by isovalent substitution on CdTe substrates / V. P. Makhniy, М. М. Slyotov, I. V. Tkachenko, А. М. Slyotov // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2012. - Vol. 15, № 4. - С. 338-339. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2012_15_4_8.

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

Ткаченко Іван Віталійович (технічні науки)

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача