Наукова періодика України Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics


Mustafaeva S. N. 
X-ray dosimetry of copper-doped CdGa2S4 single crystals / S. N. Mustafaeva, M. M. Asadov, D. T. Guseinov // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2012. - Vol. 15, № 4. - С. 358-359. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2012_15_4_12
Comparative analysis of the X-ray dosimetric characteristics of CdGa2S4 and <$E roman {CdGa sub 2 S sub 4 symbol ... Cu symbol ъ}> single crystals demonstrates that after copper-doping the persistence of the crystal characteristics completely disappears. The current-dose characteristics <$E I sub r> ~ <$E E sup alpha> tend to linearity (<$E alpha~=~1>) at low dose rates of X-rays. At high dose rates, <$E alpha> tends to 0,5, which testifies to the mechanism of quadratic recombination of charge carriers generated by X-rays in <$E roman {CdGa sub 2 S sub 4 symbol ... Cu symbol ъ}>.
  Повний текст PDF - 890.927 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Mustafaeva S.
  • Asadov M.
  • Guseinov D.

  • Бібліографічний опис для цитування:

    Mustafaeva S. N. X-ray dosimetry of copper-doped CdGa2S4 single crystals / S. N. Mustafaeva, M. M. Asadov, D. T. Guseinov // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2012. - Vol. 15, № 4. - С. 358-359. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2012_15_4_12.

      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського