Mid-IR impurity absorption in As2S3 chalcogenide glasses doped with transition metals

Paiuk, A. P.; Stronski, A. V.; Vuichyk, N. V.; Gubanova, A. A.; Krys'kov, Ts. A.; Oleksenko, P. F.


	Наукова періодика України		Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics

Paiuk A. P.
Mid-IR impurity absorption in As2S3 chalcogenide glasses doped with transition metals / A. P. Paiuk, A. V. Stronski, N. V. Vuichyk, A. A. Gubanova, Ts. A. Krys'kov, P. F. Oleksenko // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2012. - Vol. 15, № 2. - С. 152-155. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2012_15_2_9

Room temperature IR impurity absorption spectra in 4000 - 7000 cm<^>-1 (1,4 - 25 mu m) region for chalcogenide glasses of As2S3 doped with chromium (0,5, 1 wt. %) and manganese (0,1, 1, 2, 5 wt. %) have been studied. The effects of chromium and manganese impurities on the transmission spectra are discussed.

Повний текст PDF - 2.174 Mb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Бібліографічний опис для цитування:

Paiuk A. P. Mid-IR impurity absorption in As2S3 chalcogenide glasses doped with transition metals / A. P. Paiuk, A. V. Stronski, N. V. Vuichyk, A. A. Gubanova, Ts. A. Krys'kov, P. F. Oleksenko // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2012. - Vol. 15, № 2. - С. 152-155. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2012_15_2_9.

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача