Graded-gap AlInN Gunn diodes

Storozhenko, I. P.; Yaroshenko, A. N.; Kaydash, M. V.


	Наукова періодика України		Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics

Storozhenko I. P.
Graded-gap AlInN Gunn diodes / I. P. Storozhenko, A. N. Yaroshenko, M. V. Kaydash // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2012. - Vol. 15, № 2. - С. 176-180. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2012_15_2_14

The paper deals with the numerical simulation of Gunn diodes operation based on the graded-gap AlInN. We have obtained the output characteristics of diodes with different cathode contacts in a wide range of frequencies. Harmonic and biharmonic modes of operation have been considered. Cutoff frequency and minimum length of the active region have been estimated. Performances of graded-gap AlInN diodes are compared with the performances of InN and AlN diodes.

Повний текст PDF - 1.426 Mb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Storozhenko I.

Yaroshenko A.

Kaydash M.

Бібліографічний опис для цитування:

Storozhenko I. P. Graded-gap AlInN Gunn diodes / I. P. Storozhenko, A. N. Yaroshenko, M. V. Kaydash // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2012. - Vol. 15, № 2. - С. 176-180. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2012_15_2_14.

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача