Наукова періодика України Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics


Ignatyeva T. A. 
Partial dielectric behavior of the Mo electron spectrum as an effect of Van Hove singularities / T. A. Ignatyeva // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2011. - Vol. 14, № 4. - С. 482-488. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2011_14_4_22
The investigation shows that the specific conductivity of Mo sharply decreases exponentially under the temperature influence within the range from ~20 to ~60 К or under the Re impurity influence in the concentration range up to 3 - 4 at.% and then transforms into the power dependence. Noted there are two singularities in the Mo specific conductivity, namely, an exponential conductivity change within the small energy range and the presence of a threshold energy value equivalent to ~50 K, which can be related to the mobility edge for localized electron states at the spectrum edge in the vicinity of the critical energy <$E epsilon sub C1> (arising of a small-size electron lens). The identity in the behavior of Mo specific conductivity change, independently on the external parameter influencing on the Fermi level position relatively to the critical points of the electron spectrum, is shown. This fact permits to assume that the singularities under consideration can be related to the partial dielectric behavior of the electron spectrum, depending on the Fermi level position relatively to the critical energies.
  Повний текст PDF - 1.461 Mb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Ignatyeva T.

  • Бібліографічний опис для цитування:

    Ignatyeva T. A. Partial dielectric behavior of the Mo electron spectrum as an effect of Van Hove singularities / T. A. Ignatyeva // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2011. - Vol. 14, № 4. - С. 482-488. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2011_14_4_22.

      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського