Наукова періодика України | Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics | ||
Vlaskina S. I. 3C-6H transformation in heated cubic silicon carbide 3C-SiC / S. I. Vlaskina, G. N. Mishinova, V. I. Vlaskin, V. E. Rodionov, G. S. Svechnikov // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2011. - Vol. 14, № 4. - С. 432-436 . - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2011_14_4_12 Results of the research on the photoluminescence study of the 3C-6H-SiC phase transformation are presented. 3C-SiC crystals with in grown 3C-6H transformation and pure perfect 3C-SiC crystals grown by the Tairov-Tsvetkov method without a polytypes joint after high temperature annealing were investigated. Fine structure at the energy of E Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Vlaskina S. I. 3C-6H transformation in heated cubic silicon carbide 3C-SiC / S. I. Vlaskina, G. N. Mishinova, V. I. Vlaskin, V. E. Rodionov, G. S. Svechnikov // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2011. - Vol. 14, № 4. - С. 432-436 . - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2011_14_4_12. Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |