Наукова періодика України Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics


Vlaskina S. I. 
3C-6H transformation in heated cubic silicon carbide 3C-SiC / S. I. Vlaskina, G. N. Mishinova, V. I. Vlaskin, V. E. Rodionov, G. S. Svechnikov // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2011. - Vol. 14, № 4. - С. 432-436 . - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2011_14_4_12
Results of the research on the photoluminescence study of the 3C-6H-SiC phase transformation are presented. 3C-SiC crystals with in grown 3C-6H transformation and pure perfect 3C-SiC crystals grown by the Tairov-Tsvetkov method without a polytypes joint after high temperature annealing were investigated. Fine structure at the energy of E = 2,73, 2,79 eV, E = 2,588 eV, and E = 2,48 eV that appeared after annealing was described. The role of stacking faults in the process of structure transformation was investigated.
  Повний текст PDF - 2.537 Mb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Vlaskina S.
  • Mishinova G.
  • Vlaskin V.
  • Rodionov V.
  • Svechnikov G.

  • Бібліографічний опис для цитування:

    Vlaskina S. I. 3C-6H transformation in heated cubic silicon carbide 3C-SiC / S. I. Vlaskina, G. N. Mishinova, V. I. Vlaskin, V. E. Rodionov, G. S. Svechnikov // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2011. - Vol. 14, № 4. - С. 432-436 . - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2011_14_4_12.

      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського