Наукова періодика України Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics


Dobrovolskiy Yu. G. 
Anti-reflection coatings based on SnO2, SiO2, Si3N4 films for photodiodes operating in ultraviolet and visible spectral ranges / Yu. G. Dobrovolskiy, V. L. Perevertailo, B. G. Shabashkevich // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2011. - Vol. 14, № 3. - С. 298-301. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2011_14_3_8
It is shown in this paper that tin dioxide coating is suitable to enhance sensitivity of photodiodes operating in the ultraviolet spectral range and based on zinc selenide and gallium phosphide. For these materials, the sensitivity values have been increased up to 0,12 and 0,2 A/W, respectively, in the maxima of their spectral characteristics. It is also shown that the film silicon nitride - silicon dioxide a bit better clarifies silicon photodiode, especially at the wavelength 700 nm. A gluing composition, in general, worsens transmission of films, and to greater extent transmission of the above film.
  Повний текст PDF - 234.636 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Dobrovolskiy Y.
  • Perevertailo V.
  • Shabashkevich B.

  • Бібліографічний опис для цитування:

    Dobrovolskiy Yu. G. Anti-reflection coatings based on SnO2, SiO2, Si3N4 films for photodiodes operating in ultraviolet and visible spectral ranges / Yu. G. Dobrovolskiy, V. L. Perevertailo, B. G. Shabashkevich // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2011. - Vol. 14, № 3. - С. 298-301. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2011_14_3_8.

      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського