Наукова періодика України Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics

Gaidar G. P. 
Changes in Hall parameters after -irradiation (60Со) of n-Ge / G. P. Gaidar // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2011. - Vol. 14, № 3. - С. 294-297. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2011_14_3_7
Studying the <$E gamma>-irradiation influence on the properties of n-type germanium (<$E n - roman {Ge~symbol ...~As~symbol ъ}>) within the interval of concentrations of the doping arsenic impurity <$E 7,79~times~10 sup 13 ~symbol Г~N sub roman As ~symbol Ъ~n sub e ~symbol Г~6,36~times~ 10 sup 16~roman cm sup -3> has shown that the initial resistivity of single crystals with concentrations <$E N sub roman As ~symbol У~5~times~10 sup 15~roman cm sup -3> remains constant within the accuracy of measurements carried out. Only in weakly doped crystals (with <$E N sub roman As ~symbol Ы~7,79~times~10 sup 13~roman cm sup -3> and less), the used doses of <$E gamma>-irradiation cause appreciable reduction both in the carrier concentration ne and their mobility <$E mu>.
  Повний текст PDF - 202.664 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Gaidar G.

    • Бібліографічний опис для цитування:

    Gaidar G. P. Changes in Hall parameters after -irradiation (60Со) of n-Ge / G. P. Gaidar // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2011. - Vol. 14, № 3. - С. 294-297. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2011_14_3_7.
      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського