Наукова періодика України Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics

Gudenko Yu. M. 
Lateral drift of photo-generated charge carriers in the p-SiGe/Si heterostructures with quantum wells / Yu. M. Gudenko, V. V. Vainberg, V. M. Poroshin, V. M. Tulupenko // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2011. - Vol. 14, № 3. - С. 375-379. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2011_14_3_22
The drift of charge carriers in the p-Si0,88Ge0,12/Si heterostructures under strong lateral electric fields and conditions of carrier generation by the band-to-band light absorption has been investigated experimentally. The data of the drift length, drift mobility, and lifetime of charge carriers within the temperature range 20 to 77 K under the electric field up to 1500 V/cm are presented.
  Повний текст PDF - 189.013 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Gudenko Y.
  • Vainberg V.
  • Poroshin V.
  • Tulupenko V.

    • Бібліографічний опис для цитування:

    Gudenko Yu. M. Lateral drift of photo-generated charge carriers in the p-SiGe/Si heterostructures with quantum wells / Yu. M. Gudenko, V. V. Vainberg, V. M. Poroshin, V. M. Tulupenko // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2011. - Vol. 14, № 3. - С. 375-379. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2011_14_3_22.
      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського