Наукова періодика України Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics


Bochkova T. M. 
Charge transport in bismuth orthogermanate crystals / T. M. Bochkova, S. N. Plyaka // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2011. - Vol. 14, № 2. - С. 170-174. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2011_14_2_9
Current-voltage relations in bismuth orthogermanate crystals with Ag, Pt, In-Ga electrodes have been measured in the modes of double and unipolar injection of charge carriers. It has been shown that Bi4Ge3O12 is relaxation type semiconductor. The appearance of the regions with negative differential resistance or sublinear rise of the current in I - V characteristics is connected with the injection of the minority charge carriers and recombination processes in the space charge layer.
  Повний текст PDF - 192.25 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Bochkova T.
  • Plyaka S.

  • Бібліографічний опис для цитування:

    Bochkova T. M. Charge transport in bismuth orthogermanate crystals / T. M. Bochkova, S. N. Plyaka // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2011. - Vol. 14, № 2. - С. 170-174. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2011_14_2_9.

      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського