Electrical properties of MIS structures with silicon nanoclusters

Bunak, S. V.; Ilchenko, V. V.; Melnik, V. P.; Hatsevych, I. M.; Romanyuk, B. N.; Shkavro, A. G.; Tretyak, O. V.

Bunak S. V.
Electrical properties of MIS structures with silicon nanoclusters / S. V. Bunak, V. V. Ilchenko, V. P. Melnik, I. M. Hatsevych, B. N. Romanyuk, A. G. Shkavro, O. V. Tretyak // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2011. - Vol. 14, № 2. - С. 241-246. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2011_14_2_22

The theoretical and experimental investigations of electrical properties of the Al-SiO2-(Si - ncs)-SiO2-Si structures grown using high temperature annealing SiOx, <$E x~<<~2>, have been carried out. It has been experimentally found that the Al-SiO2-(Si - ncs)-SiO2-Si structures with the tunnel dielectric layer revealed the effect of dynamic memory. Electric properties and parameters of the interface states located between Si - ncs and SiO2 were studied in detail by measuring of current-voltage, capacitance-voltage, and thermally stimulated current characteristics.

Повний текст PDF - 298.288 Kb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Бібліографічний опис для цитування:

Bunak S. V. Electrical properties of MIS structures with silicon nanoclusters / S. V. Bunak, V. V. Ilchenko, V. P. Melnik, I. M. Hatsevych, B. N. Romanyuk, A. G. Shkavro, O. V. Tretyak // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2011. - Vol. 14, № 2. - С. 241-246. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2011_14_2_22.

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача


	Наукова періодика України		Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics