Наукова періодика України | Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics | ||
Gaidar G. P. The kinetic of point defect transformation during the annealing process in electron-irradiated silicon / G. P. Gaidar, A. P. Dolgolenko, P. G. Litovchenko // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2011. - Vol. 14, № 2. - С. 213-221. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2011_14_2_18 The A-centers (VO) annealing and transformation of precursors to form stable C Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Gaidar G. P. The kinetic of point defect transformation during the annealing process in electron-irradiated silicon / G. P. Gaidar, A. P. Dolgolenko, P. G. Litovchenko // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2011. - Vol. 14, № 2. - С. 213-221. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2011_14_2_18. Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |