Impact of sidewall spacer on gate leakage behavior of nano-scale MOSFETs

Rana, A. K.; Chand, N.; Kapoor, V.


	Наукова періодика України		Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics

Rana A. K.
Impact of sidewall spacer on gate leakage behavior of nano-scale MOSFETs / A. K. Rana, N. Chand, V. Kapoor // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2011. - Vol. 14, № 2. - С. 203-208. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2011_14_2_16

Повний текст PDF - 182.447 Kb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Rana A.

Chand N.

Kapoor V.

Бібліографічний опис для цитування:

Rana A. K. Impact of sidewall spacer on gate leakage behavior of nano-scale MOSFETs / A. K. Rana, N. Chand, V. Kapoor // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2011. - Vol. 14, № 2. - С. 203-208. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2011_14_2_16.

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача