Наукова періодика України Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics

Boiko I. I. 
Influence of electron-electron drag on piezoresistance of n-Si / I. I. Boiko // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2011. - Vol. 14, № 2. - С. 183-187. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2011_14_2_12
Piezoresistance of n-Si is considered with due regard for inter-valley drag. It has been shown that inter-valley drag gains the piezocoefficient and diminishes the mobility. In the region of nondegenerate carriers, the effect of drag increases when the carrier concentration rises and temperature falls.
  Повний текст PDF - 159.172 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Boiko I.

    • Бібліографічний опис для цитування:

    Boiko I. I. Influence of electron-electron drag on piezoresistance of n-Si / I. I. Boiko // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2011. - Vol. 14, № 2. - С. 183-187. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2011_14_2_12.
    Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
    (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
  • Бойко Ігор Іванович (1935–) (фізико-математичні науки)
    •   Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського