Наукова періодика України | Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics | ||
Manilov A. I. Electrophysical properties of meso-porous silicon free standing films modified with palladium / A. I. Manilov, V. A. Skryshevsky, S. A. Alekseev, G. V. Kuznetsov // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2011. - Vol. 14, № 1. - С. 1-6. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2011_14_1_3 Resistivity and complex impedance voltage dependences for thick mesoporous silicon free layers were studied in this work. The asymmetrical by the sign of applied voltage experimental curves at low frequencies have been obtained. Modification of electrophysical properties due to introduction of palladium particles into the porous matrix is observed. Impedance change regularities during oxidation of the samples have been measured. The explanation of experimental results by asymmetrical distribution of charge carrier traps in the bulk of porous silicon has been suggested. Energy band diagrams and charge transfer mechanisms of these heterostructures are discussed. Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Manilov A. I. Electrophysical properties of meso-porous silicon free standing films modified with palladium / A. I. Manilov, V. A. Skryshevsky, S. A. Alekseev, G. V. Kuznetsov // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2011. - Vol. 14, № 1. - С. 1-6. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2011_14_1_3. Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |