Наукова періодика України | Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics | ||
Fodchuk I. Determination of structural homogeneity of synthetic diamonds from analysis of Kikuchi lines intensity distribution / I. Fodchuk, S. Balovsyak, M. Borcha, Ya. Garabazhiv, V. Tkach // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2010. - Vol. 13, № 3. - С. 262-267 . - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2010_13_3_8 It has been suggested the technique based on analysis of geometry and intensity distribution profiles in Kikuchi patterns obtained due to electron backscattering diffraction for defining structural imperfection of diamond crystals. To determine the geometry parameters in Kikuchi patterns with the maximal precision, the special software was developed. It has been shown that application of electron diffraction (Kikuchi method) allows to obtain information about degree of perfection and homogeneity of real structure for diamond crystals synthesized with various methods. Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Fodchuk I. Determination of structural homogeneity of synthetic diamonds from analysis of Kikuchi lines intensity distribution / I. Fodchuk, S. Balovsyak, M. Borcha, Ya. Garabazhiv, V. Tkach // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2010. - Vol. 13, № 3. - С. 262-267 . - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2010_13_3_8.Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |