Наукова періодика України Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics


Bunak S. V. 
Electrical properties of semiconductor structures with Si nanoclusters in SiO2 grown by high temperature annealing technology of SiOX layer, X<2 / S. V. Bunak, A. A. Buyanin, V. V. Ilchenko, V. V. Marin, V. P. Melnik, I. M. Khacevich, O. V. Tretyak, A. G. Shkavro // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2010. - Vol. 13, № 1. - С. 12-18. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2010_13_1_5
The theoretical and experimental investigations of electrical properties of the SiO2/Si-ncs/SiO2/Si structures grown by high temperature annealing SiOX, <$Eroman X~<<~2>, have been carried out. The influence of Si cluster growth conditions on frequency dependences of <$EC~-~V> characteristics, static and dynamic conductance of investigated structures has been clearly observed. As a result of theoretical modeling, <$EC~-~V> dependences have been calculated. The experimentally obtained negative constituent of differential capacitance has been qualitatively described. It has been experimentally found that the SiO2/Si-ncs/SiO2/Si structures with the tunnel dielectric layer revealed the effect of memorizing.
  Повний текст PDF - 344.143 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Bunak S.
  • Buyanin A.
  • Ilchenko V.
  • Marin V.
  • Melnik V.
  • Khacevich I.
  • Tretyak O.
  • Shkavro A.

  • Бібліографічний опис для цитування:

    Bunak S. V. Electrical properties of semiconductor structures with Si nanoclusters in SiO2 grown by high temperature annealing technology of SiOX layer, X<2 / S. V. Bunak, A. A. Buyanin, V. V. Ilchenko, V. V. Marin, V. P. Melnik, I. M. Khacevich, O. V. Tretyak, A. G. Shkavro // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2010. - Vol. 13, № 1. - С. 12-18. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2010_13_1_5.

      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського