Наукова періодика України | Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics | ||
Tretyak O. V. Spin-dependent current in silicon p-n junction diodes / O. V. Tretyak, O. I. Kozonushchenko, K. V. Krivokhizha, A. S. Revenko // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2010. - Vol. 13, № 1. - С. 95-97 . - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2010_13_1_21 We have used electrically detected spin-dependent paramagnetic resonance to investigate the non-equilibrium conductivity in a silicon diode. In order to create paramagnetic centers, we used diode with a polished surface (that includes p - n Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Tretyak O. V. Spin-dependent current in silicon p-n junction diodes / O. V. Tretyak, O. I. Kozonushchenko, K. V. Krivokhizha, A. S. Revenko // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2010. - Vol. 13, № 1. - С. 95-97 . - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2010_13_1_21. Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |