Наукова періодика України Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics

Trachevsky V. V. 
Changes in the state of paramagnetic centers and lattice parameter of micro-structured Si under the influence of weak magnetic field / V. V. Trachevsky, L. P. Steblenko, P. Y. Demchenko, O. V. Koplak, A. M. Kuryliuk, A. K. Melnik // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2010. - Vol. 13, № 1. - С. 87-90. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2010_13_1_19
In this work, the influence of weak magnetic field on structure-dependent properties of micro-structured Si was determined. The researches of EPR-spectra inherent to micro-structured Si showed the presence of the spectral line at H ~ 3500 Oe that appears from centers with the g-factor g ~ 2,0010 (pB-centers). Intensity of the determined spectral line decreases twice after magnetic processing. The observed redox processes and evolution of defect structure are interpreted as the influence of magnetic field on micro-structured Si. Calculations made using the data of X-ray diffractometric researches showed an essential decrease of internal strains and respective increase of the lattice parameter in micro-structured Si samples after magnetic processing in the weak magnetic field.
  Повний текст PDF - 239.5 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Trachevsky V.
  • Steblenko L.
  • Demchenko P.
  • Koplak O.
  • Kuryliuk A.
  • Melnik A.

    • Бібліографічний опис для цитування:

    Trachevsky V. V. Changes in the state of paramagnetic centers and lattice parameter of micro-structured Si under the influence of weak magnetic field / V. V. Trachevsky, L. P. Steblenko, P. Y. Demchenko, O. V. Koplak, A. M. Kuryliuk, A. K. Melnik // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2010. - Vol. 13, № 1. - С. 87-90. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2010_13_1_19.
      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського