Наукова періодика України | Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics | ||
Smyntyna V. A. Genesis of initial defects in the process of monocrystalline silicon oxidation with subsequent scribing / V. A. Smyntyna, O. V. Sviridova // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2010. - Vol. 13, № 1. - С. 74-78. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2010_13_1_16 The type, density, and distribution of defects in initial and oxidated monocrystalline silicon wafers were studied by modern methods. It was established that disordered silicon and stacking faults are basic defects in near-surface layers of oxidated monocrystalline silicon. It was shown that stacking faults are generated during the oxidation process, and the mechanism of their formation is connected with the defective layered structure of initial silicon wafers. It was established that defects of layered heterogeneity, on the one hand, lead to the formation of stacking faults and, on the other hand, prevent their propagation to the wafer bulk. Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Smyntyna V. A. Genesis of initial defects in the process of monocrystalline silicon oxidation with subsequent scribing / V. A. Smyntyna, O. V. Sviridova // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2010. - Vol. 13, № 1. - С. 74-78. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2010_13_1_16. Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |