С помощью методов спектроскопии полного тока и контактной разницы потенциалов в варианте Андерсона изучалось влияние ступенчатого нагрева в диапазоне 1300 - 2800 К в вакууме до <$E5~cdot~10 sup -10> Па на работу выхода <$Ephi> и отражение медленных электронов (Е = 0 - 50 эВ) от грани (110)W. Установлено, что при 2400 К на ней формируется монослой углерода (графен) с <$Ephi~=~5,08~symbol С~0,02> эВ в результате сегрегации его из объема. Повышение температуры до 2800 К и обработка в кислороде удаляют углерод, и образуется атомарно-чистая грань (110)W с <$Ephi~=~5,30> эВ. Наблюдаются пики коэффициента отражения электронов от этих поверхностей. Установлено, что их энергетическое положение (E) пропорционально квадрату порядкового номера (n) пика, что объясняется квантово-размерными эффектами при надбарьерном отражении электронов. Для грани (110)W наблюдается 3 пика, интенсивности которых с ростом n убывают от 45 до 18 %, а для графена на ней - 6 пиков (при этом интенсивности первых двух падают до 10 %).Изучено влияние сегрегации углерода на нагретой в сверхвысоком вакууме атомно-чистой поверхности Mo(110) на отражение медленных (0 - 50 эВ) электронов методом спектроскопии полного тока (СПТ) и работу выхода <$E phi> методом контактной разности потенциалов. В процессе отжига при Tотж = 1400 - 2000 K величина <$E phi> плавно снижается на <$E DELTA phi~=~0,18> эВ (до 4,82 +- 0,02 эВ), что сопровождается монотонным сдвигом двух основных минимумов в СПТ навстречу друг другу на <$E DELTA E~=~1,2> эВ до значений E = 4,8 и 12,5 эВ, характерных для возбуждения в графене плазмонов в <$E pi>-зоне проводимости и (<$E pi~+~sigma>)-валентной зоне соответственно. Минимумы свидетельствуют об эмиссии электронов в обратном направлении; их сдвиги вызваны смещением энергии <$E pi>-зоны проводимости вверх, а <$E sigma>-валентной зоны - вниз. Отжиг при Tотж = 2200 - 2700 K не изменяет значение <$E phi> и все параметры СПТ, а состояние такой поверхности становится термодинамически стабильным для графена на Mo(110). Последний увеличивает число пиков отражения электронов от трех до пяти и снижает в несколько раз коэффициент их отражения, который спадает практически до нуля при повышении E.