Удовицька Р. С. Наноструктурування поверхні гетероепітаксійної плівки CdHgTe методом йонної імплантації Ag+ / Р. С. Удовицька // Металлофизика и новейшие технологии. - 2015. - Т. 37, № 7. - С. 887-897. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MPhNT_2015_37_7_5
Представлены результаты систематических исследований структурных и механических характеристик поверхности гетероэпитаксиальной структуры кадмий - ртуть - теллур (КРТ), полученной методом ионной имплантации Ag+. С помощью метода рентгеновской дифрактометрии изучались характеристики нарушенного слоя гетероструктур Ag20/CdHgTe/CdZnTe. Определено, что примесь (серебро) располагается преимущественно в приповерхностной области эпитаксиального слоя толщиной <$E symbol @~0,1> мкм, причем максимального значения <$E symbol @~10 sup 24~roman м sup -3> концентрация ионов достигает на глубине <$E symbol @~0,05> мкм. Обсуждена природа и роль механического напряжения легируемого слоя и влияние деформаций на перераспределение введенной примеси и дефектов. Рассмотрена генерация механических напряжений в твердом растворе CdHgTe, возникающих при имплантационном введении примесных ионов серебра, как источник трансформации дефектно-примесной структуры и изменения микроструктуры поверхности гетероэпитаксиальной пленки узкозонного полупроводника. Установлено, что эффект деформационного втягивания примеси за счет дилатационного эффекта может играть заметную роль при формировании профиля распределения примеси. С применением программного пакета TRIM_2008 были рассчитаны значения концентрации имплантата C(z), которые использовались для дальнейшего расчета максимальных по величине механических напряжений. Также определены изменения относительной микротвердости <$E eta> исследуемых образцов. Анализ структурных изменений приповерхностного слоя имплантированных серебром образцов КРТ выполнялся по XRD-методике в скользящей конфигурации (GI XRD) при угле скольжения 1<$E symbol Р>. Для данного материала в дифракционную картину (GI XRD) дают вклад приповерхностные области на глубине до 400 нм. Для определения размеров дефектов построено и проанализировано распределение интенсивности диффузного рассеяния в направлении qx. Для образца после имплантации серебром происходит сужение области хуаневского рассеяния по сравнению с исходным образцом. Цитованість авторів публікації:Удовицька Р.
Бібліографічний опис для цитування: Удовицька Р. С. Наноструктурування поверхні гетероепітаксійної плівки CdHgTe методом йонної імплантації Ag+ / Р. С. Удовицька // Металлофизика и новейшие технологии. - 2015. - Т. 37, № 7. - С. 887-897. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MPhNT_2015_37_7_5. Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)Удовицька Руслана Сергіївна (фізико-математичні науки)
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|