Наукова періодика України Металлофизика и новейшие технологии


Sichkar S. M. 
Interaction between Electron and Phonon Subsystems in Hafnium Diboride / S. M. Sichkar // Металлофизика и новейшие технологии. - 2014. - Т. 36, № 3. - С. 419-429. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MPhNT_2014_36_3_13
Ab initio расчет функций электрон-фононной связи выполнен в рамках метода ЛМТО с использованием полного потенциала. Низкое значение усредненной константы электрон-фононного взаимодействия для HfB2 <$Elambda~=~0,17> свидетельствует, что нет оснований для возникновения сверхпроводящего состояния в этом соединении. Впервые рассчитаны электрическое сопротивление и коэффициент анизотропии <$Erho sub z "/" rho sub x ~=~1,079> (Т = 300 К) для диборида гафния. Достигнуто хорошее согласие с экспериментальными данными для электрического сопротивления. Выполнен сравнительный анализ результатов расчетов фононных спектров с помощью методов ABINIT, SIESTA, VASP и предложенного метода ЛМТО с детальным обсуждением полученных различий.
  Повний текст PDF - 257.232 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Sichkar S.

  • Бібліографічний опис для цитування:

    Sichkar S. M. Interaction between Electron and Phonon Subsystems in Hafnium Diboride / S. M. Sichkar // Металлофизика и новейшие технологии. - 2014. - Т. 36, № 3. - С. 419-429. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MPhNT_2014_36_3_13.

      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського