На основе модели сильной связи исследована электронная структура, свободная энергия и спин-зависимый транспорт в графене с примесью атомов Cr. Выполнена "геометрическая оптимизация" кристаллической структуры графена с примесью Cr путем минимизации свободной энергии. Установлено, что атомы Cr адсорбируются на поверхности графена. Выяснена природа спин-зависимого электронного транспорта графена с атомами Cr. Показано, что явление спин-зависимого электронного транспорта в графене возникает в результате сильных электронных корреляций, обусловленных наличием атомов Cr. Величина спиновой поляризации электронного транспорта определяется разностью парциальных плотностей состояний электронов с противоположной проекцией спина на уровне Ферми и разностью времен релаксации, обусловленной разным числом заполнения одноэлектронных состояний атомов углерода и хрома. Значение спиновой поляризации электрического тока вырастает при увеличении концентрации атомов Cr.

  Повний текст PDF - 275.017 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"