Исследованы электронные транспортные и термомагнитные свойства нитей висмута, - чистого и легированного Sn и Те, - в широком интервале диаметров, температур и магнитных полей. Показано, что квантовый размерный эффект приводит к полупроводниковой зависимости R(T) при уменьшении диаметра нитей Bi и его сплавов, а также к смене знака термоэдс. Показано, что в квантовых нитях Bi с помощью легирования, магнитного поля и упругой деформации можно управлять не только величиной, но и знаком термоэдс и таким образом существенно влиять на термоэлектрическую эффективность материала. Установлено, что смещение размерного максимума на продольном магнетосопротивлении и магнитотермоэдс с температурой отражают характер температурной зависимости подвижности носителей, а его зависимость от деформации растяжения при 4,2 К характеризует изменение сечения поверхности Ферми L-носителей.