Вивчено структуру рідкого галію в широкому інтервалі температур. Аналіз даних, одержаних за допомогою методу дифракції, надав змогу зробити деякі висновки про структурні особливості рідкого галію. Зокрема, є чітка асиметрія першого максимуму структурного фактора та існування теча на його правому боці. Також проаналізовано температурну залежність структурних факторів для рідкого Ga за його неоднорідною структурою. Інтерпретація проводилася за умови, що структура рідини Ga складається з кластерів з різним розподілом атомів, а також різних типів хімічних зв'язків між атомами. Структурні одиниці чутливі до температури. Також було виконано розщеплення основного максимуму структурное фактора на парціальні криві Гауса, що відповідали певним структурним одиницям розплаву. Кожен структурний компонент розплаву показує інший характер температурної залежності. Також передбачається, що парціальні піки для кожного кластера описуються гаусовими функціями.

  Повний текст PDF - 1.139 Mb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"