Наукова періодика України | Фізико-математичне моделювання та інформаційні технології | ||
Чекурін В. Математична модель дифузії домішки в напівпровіднику з урахуванням напружено-деформованого стану / В. Чекурін // Фізико-математичне моделювання та інформаційні технології. - 2009. - Вип. 10. - С. 138-148. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Fmmit_2009_10_16 Сформульовано математичну модель для опису у взаємозв'язку процесу однокомпонентної дифузії та напружено-деформованого стану в монокристалічних напівпровідниках із кубічною кристалічною граткою. Модель враховує температурні та дифузійні напруження, а також залежність коефіцієнта дифузії від температури та деформації. На одновимірній задачі досліджено вплив власних напружень на формування поверхневих дифузійних шарів у напівпровідниках за ізотермічних умов. Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Чекурін В. Математична модель дифузії домішки в напівпровіднику з урахуванням напружено-деформованого стану / В. Чекурін // Фізико-математичне моделювання та інформаційні технології. - 2009. - Вип. 10. - С. 138-148. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Fmmit_2009_10_16.Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |