Наукова періодика України Computing

Tsague H. D. 
Investigation of Carrier Mobility Degradation Effects on MOSFET Leakage Simulations / H. D. Tsague, B. Twala // Computing. - 2016. - Vol. 15, Issue 4. - С. 237-247. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Computing_2016_15_4_4
  Повний текст PDF - 577.122 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Tsague H.
  • Twala B.

    • Бібліографічний опис для цитування:

    Tsague H. D. Investigation of Carrier Mobility Degradation Effects on MOSFET Leakage Simulations / H. D. Tsague, B. Twala // Computing. - 2016. - Vol. 15, Issue 4. - С. 237-247. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Computing_2016_15_4_4.
      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського