Розглянуто процеси розсіяння електронів на близькодіючому потенціалі, викликаного взаємодією з полярними та неполярними оптичними фононами, п'єзоелектричними та акустичними фононами, іонізованими домішками та центрами статичної деформації в n-InSb з концентрацією дефектів 3 x 10¹⁷ см^-3. У межах точного розв'язку стаціонарного рівняння Больцмана на базі принципу близькодії розраховано температурні залежності рухливості електронів в інтервалі 4,2 - 500 K. Встановлено добре узгодження теорії та експерименту у дослідженому інтервалі температур. На основі ниткоподібних кристалів InSb розроблено холлівський датчик, дієздатний у широкому температурному інтервалі 4,2 - 500 K і в області високих магнітних полів (до 10 Тл) з чутливістю ~ 3,5 мВ/Tл.

  Повний текст PDF - 239.949 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"