Пошуковий запит: (<.>I=Ж16425<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1826
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
| 1. |
Piskovoi V. N. (M, N)-exponential model in the theory of excitons. — 1998 // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка.
|
| 2. |
Snopok B. A. A biosensor approach to probe the structure and function of the adsorbed proteins: fibrinogen at the gold surface. — 1998 // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка.
|
| 3. |
Demidenko A. A. Amplification of localized acoustic waves by the electron drift in a quantum well. — 1999 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.
|
| 4. |
Martin P. M. Capacitance spectroscopy of InAs self-assembled quantum dots. — 1998 // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка.
|
| 5. |
Daweritz L. Characteristics of interface corrugations in short-period GaAs/AlAs superlattices. — 1998 // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка.
|
| 6. |
Khizhnyak A. Characteristics of thermal lens induced in active rod of cw Nd:YAG laser. — 1999 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.
|
| 7. |
Torchinskaya T. V. Effect of the desorption process on photoluminescence excitation spectra of porous silicon. — 1998 // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка.
|
| 8. |
Shevchenko V. B. Evidence for photochemical transformations in porous silicon. — 1999 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.
|
| 9. |
Klad'ko V. P. Influence of absorption level on mechanisms of Bragg-diffracted x-ray beam formation in real silicon crystals. — 1999 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.
|
| 10. |
Zabello E. Influence of temporal parameters of laser irradiation on emission spectra of the evaporated material. — 1999 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.
|
| 11. |
Kaganovich E. B. Interface electronic properties of heterojunctions based on nanocrystalline silicon. — 1999 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.
|
| 12. |
Volodin N. M. Investigation of growth conditions, crystal structure and surface morphology of SmS films fabricated by MOCVD technique. — 1999 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.
|
| 13. |
Boiko I. I. Investigation of the photoelastic effect in Si at high values of the absorptivity. — 1999 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.
|
| 14. |
Grigorchuk N. I. Light absorption by d-dimensional organic semiconductors under exciton transitions between broad bands. — 1999 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.
|
| 15. |
Alexeyev A. N. Optical vortices and the flow of their angular momentum in a multimode fiber. — 1998 // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка.
|
| 16. |
Svechnikov S. V. Photosensitive porous silicon based structures. — 1998 // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка.
|
| 17. |
Malysh N. I. Saturation of optical absorption in CdS single crystals . — 1999 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.
|
| 18. |
Usenko A. Y. Silicon-on-insulator technology for microelectromechanical applications . — 1999 // Фізика напівпровідників, квантова електроніка та оптоелектроніка.
|
| 19. |
Kashirina N. I. Theoretical approach to electrodiffusion of shallow donors in semiconductors: I. Stationary limit. — 1998 // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка.
|
| 20. |
Vakulenko O. V. Varistor-like current-voltage characteristic of porous silicon. — 1999 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.
|
| | |
НОВІ
ПОШУК
Книжкові видання та компакт-диски
