РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»


Бази даних


Реферативна база даних - результати пошуку


Вид пошуку
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком виданнявидом документа
 Знайдено в інших БД:Книжкові видання та компакт-диски (4)Наукова періодика України (16)
Пошуковий запит: (<.>A=Мокрицкий В$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 20
Представлено документи з 1 до 20
1.

Мокрицкий В. А. Технология получения легированных алмазоподобных пленок. — Запорожье, 2000 // Металлургия.
2.

Мокрицкий В. А. Блок детектирования гамма-излучения на основе CdZnTe для систем радиационного контроля. — 2005 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.
3.

Зубарев В. В. Методика оценки эффективности применения индикаторов различных типов в бортовых средствах отображения информации. — 1999 // Вісн. Нац. авіац. ун-ту.
4.

Завадский В. А. Влияние облучения быстрыми нейтронами на эпитаксиальный арсенид галлия. — 2002 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.
5.

Ротнер С. М. Мощные резисторы нового поколения на основе углеродных (алмазоподобных) пленок. — 2006 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.
6.

Мокрицкий В. А. Исследование радиационной стойкости гибридных интегральных микросхем. — 2008 // Технология и конструирование в электронной аппаратуре.
7.

Ленков С. В. Методика и средства контроля технического состояния цифровых приборов, содержащих элементы с обратными связями. — 2005 // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології.
8.

Мокрицкий В. А. Влияние быстрых электронов на свойства эпитаксиальных слоев кремния и параметры фоторезисторов на их основе. — 2008 // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології.
9.

Ротнер С. М. Свойства легированных углеродных (алмазоподобных) пленок. — 2006 // Пр. Одес. політехн. ун-ту.
10.

Курицын Е. М. Свойства эпитаксиальных слоев германия при облучении быстрыми электронами. — 2001 // Пр. Одес. політехн. ун-ту.
11.

Мокрицкий В. А. Сравнительный анализ влияния быстрых электронов и нейтронов на эпитаксиальные слои арсенида галлия. — 2009 // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології.
12.

Гаркавенко А. С. Радиационная модификация физических свойств широкозонных полупроводников и создание на их основе лазеров большой мощности : [монография]. — Л.: ЗУКЦ, 2012 - (Современ. квант. и корпускуляр. технологии).
13.
Теория и практика жидкофазной эпитаксии и радиационной технологии полупроводников : [монография]. — Одеса: Астропринт, 2013 - (Соврем. технологии электроники).
14.

Банзак О. В. Полупроводниковые детекторы нового поколения для радиационного контроля и дозиметрии ионизирующих излучений : [монография]. — О.: ВМВ, 2013 - (Современ. технологии электроники).
15.

Дранчук С. Н. Массоперенос при жидкофазной эпитаксии двухслойных систем // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2012. - № 5.
16.

Дранчук С. Н. Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2013. - № 2/3.
17.

Гаркавенко А. С. Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Ч. 1. Теоретические предпосылки // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2014. - № 4.
18.

Гаркавенко А. С. Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2014. - № 5/6.
19.

Мокрицкий В. А. Автоматизированная система определения глубины выгорания отработавшего ядерного топлива // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2014. - № 5/6.
20.

Кобозева А. А. Усовершенствование стеганографического алгоритма, основанного на sign-нечувствительности сингулярных векторов блоков матрицы изображения // Інформатика та мат. методи в моделюванні. - 2017. - 7, № 1/2.
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського