РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»
НОВІ
НАДХОДЖЕННЯ
ПОШУК
РУБРИКАТОР

Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Вид пошуку
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком виданнявидом документа
 Знайдено в інших БД:Книжкові видання та компакт-диски (3)Журнали та продовжувані видання (2)
Пошуковий запит: (<.>U=З851.122.2$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 9
Представлено документи з 1 до 9
1.

Осадчук А. Е. Сравнительный анализ динамических характеристик генератора на двухпролетном ЛПД в двухчастотном режиме для различных профилей легирования диода и положений частотных зон генерации. — Х., 1999 // Радиофизика и электроника.
2.

Шеховцов Н. А. Влияние емкости p+ - n - n+ и n+ - p - p+ диодов на поглощение излучения 54 - 78 ГГц. — 2000 // Радиофизика и электроника.
3.

Каневский В. И. Исследование отрицательной динамической проводимости в вакуумных диодных структурах с острийным катодом в виде *p++ - n-перехода. — 1998 // Изв. вузов. Радиоэлектроника .
4.

Malik O.  Modeling of physical properties and experimental results for virtual p-i-n diode based on metal-insulator-silicon structure. — 2003 // Фізика і хімія твердого тіла.
5.

Горбань А. П. Механизмы формирования рекомбинационных токов в прямо смещенных кремниевых p - n-переходах и солнечных элементах. — 2004 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
6.

Басанец В. В. Электрические параметры SiC p-i-n-диодов в температурном диапазоне 77 - 773 К. — 2011 // Техника и приборы СВЧ.
7.

Belyaev A. E. Current instabilities in resonant tunnelling diodes based on GaN/AlN heterojunctions // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2004. - 7, № 2.
8.

Sachenko A. V. Exciton effects in band-edge electroluminescence of silicon barrier structures // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2004. - 7, № 1.
9.

Mahi K. Extraction of diode's electrical parameters under forward and room temperature conditions in an InAsSb based device // J. of Nano- and Electronic Physics. - 2019. - 11, № 4.
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського