РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»
НОВІНАДХОДЖЕННЯ |
ПОШУК
|
РУБРИКАТОР
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб|
|
| Сортувати знайдені документи за: | |||
| автором | назвою | роком видання | видом документа |
| Знайдено в інших БД: | Книжкові видання та компакт-диски (3) |
Пошуковий запит: (<.>U=З852.23<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 5 Представлено документи з 1 до 5 |
|||
| 1. | Боцула О. В. Туннельный <$E bold {n sup +~-~Д~-~n sup +}> катод к диоду Ганна. — 2002 // Радиофизика и электроника. | ||
| 2. | Боцула О. В. Резонансно-туннельные диоды на основе нитридов <$E bold { roman {AlN "/" Al} sub x {roman Ga} sub 1-x roman N}>, <$E bold { roman {GaN "/" In} sub x {roman Ga} sub 1-x roman N}>. — 2008 // Радиофизика и электроника. | ||
| 3. | Абдулкадыров Д. В. Высокочастотный электронный ток через нестационарный туннельный переход. — 2011 // Радиофизика и электроника. | ||
| 4. | Прохоров Э. Д. Импедансные характеристики планарного диода с туннельными границами на основе GaAs . — 2011 // Вісн. Харк. нац. ун-ту. Радіофізика та електроніка. | ||
| 5. | Прохоров Э. Д. Влияние междолинного переноса электронов на эффективность генерации диодов с туннельными границами на основе GaAs // Доп. НАН України. - 2012. - № 4. | ||
| Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |
 |
| Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів |
 |
| Інститут проблем реєстрації інформації НАН України |
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського