Пошуковий запит: (<.>I=Ж24835<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 707
Представлено документи з 1 до 20
|
| |
1. |
Ленков С. В. Анализ фазовых равновесий в двойной системе <$E bold roman {A sup 2~-~B sup 6~ZnTe}>. — 2012 // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології.
|
2. |
Штеплюк І. І. Вплив відпалу на структуру, фононні та оптичні властивості плівок твердих розчинів Zn1-xCdxO. — 2012 // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології.
|
3. |
Стеблова О. В. Формування кремнієвих мікро- та наноструктур для електронної польової емісії. — 2012 // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології.
|
4. |
Ліщинська Л. Б. Індуктивно-резистивний генераторний датчик. — 2012 // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології.
|
5. |
Тиханський М. В. Математичне моделювання процесів комутації в елементах логіки "АБО" на основі джозефсонівських кріотронів. — 2012 // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології.
|
6. |
Сльотов М. М. Властивості ZnSe та CdTe, легованих ізовалентною домішкою Ca. — 2012 // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології.
|
7. |
Meshalkin A. High precision interferometric thickness analysis of submicrometers spin-coated polyepoxypropylcarbazole films. — 2012 // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології.
|
8. |
Солдаткін О. О. Оптимізація одночасної роботи трьох мікробіосенсорів для мультианалізу глюкози, лактату та глютамату. — 2012 // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології.
|
9. |
Хомяк В. В. Одержання та електричні властивості гетеропереходів n-CdO/p-Si. — 2012 // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології.
|
10. |
Монастирський Л. С. Застосування гібридних структур на основі поруватого кремнію для створення елементів сенсорних пристроїв. — 2012 // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології.
|
11. |
Євтушенко А. І. Ступінь самокомпенсації ZnO, співлегованого азотом та алюмінієм. — 2012 // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології.
|
12. |
Хомяк В. В. Структурні й оптичні властивості тонких плівок Cu(In,Ga)Se2. — 2012 // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології.
|
13. |
Курмашев Ш. Д. Зависимость электрофизических параметров нанодисперсных композитов "стекло - RuO2" от размеров агломератов частиц токопроводящей фазы. — 2012 // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології.
|
14. |
Луньов С. В. Вплив інверсії (<$E bold {L sub 1~-~DELTA sub 1}>) типу абсолютного мінімуму в n-Ge на ефект екранування. — 2012 // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології.
|
15. |
Линючева О. В. Прогнозирование влияния коррозии на характеристики амперометрических сенсоров. — 2012 // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології.
|
16. |
Маханець О. М. Екситонний спектр шестигранної нанотрубки, як наносенсорного елемента. — 2012 // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології.
|
17. |
Дружинін А. О. Імпеданс-спектроскопія ниткоподібних кристалів кремнію. — 2012 // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології.
|
18. |
Свиридова О. В. Анализ температурных зависимостей коэффициента усиления фототока и квантовой эффективности кремниевых p-i-n-фотоприемников, предназначенных для регистрации излучения в инфракрасной области спектра, проведенный для различных плотностей дислокаций в приборах. — 2012 // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології.
|
19. |
Сакалош І. І. Градієнтні хвилеводи, із заданим профілем показника заломлення на основі халькогенідних склоподібних напівпровідників, для середнього інфрачервоного діапазону. — 2012 // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології.
|
20. |
Смынтына В. А. Влияние примеси марганца на люминесценцию нанокристаллов CdS. — 2012 // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології.
|
| |