Розроблено принципи нового методу витягування кристалів з розплаву, геометрія вільної поверхні якого змінюється у тиглях перемінного за висотою перетину. Розглянуто технологічні засади автоматизованого вирощування великих (діаметром більш 500 мм і масою більш 250 кг) лужногалоїдних сцинтиляційних монокристалів за новим методом. Уперше уникнуто основний принциповий недолік усіх методів витягування, який полягає у тому, що поперечний переріз вирощуваного кристала визначається площею початкової поверхні розплаву. Запропоновано новий інформаційний параметр - інтервал часу між дозованими підживленнями, з використанням якого розроблено надійну та просту систему управління процесом і вперше у світовій практиці вирощування кристалів великих розмірів автоматизовано стадію радіального росту. Базуючись на запропонованих принципах, розроблено й освоєно у виробництві два типи автоматизованих універсальних установок та відповідні технологічні процеси для вирощування сцинтиляційних лужногалоїдних кристалів великих діаметрів, а саме: установки типу "Кристалл" з підживленням розплавленою первинною сировиною; установки типу "Крос" з підживленням дрібнокристалічною первинною сировиною. Зазначено, що швидкість витягування кристалів Cs(Tl) діаметром до 440 мм складає до 6,3 мм/год, а кристалів Na(Tl) - до 5 мм/год, що дозволило у двічі збільшити продуктивність ростового устаткування.