Бази даних


Книжкові видання та компакт-диски - результати пошуку


Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"

Вид пошуку
у знайденому
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком виданнявидом документа
 Знайдено в інших БД:Журнали та продовжувані видання (4)Автореферати дисертацій (3)Реферативна база даних (239)
Пошуковий запит: (<.>U=З852.3<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 54
Представлено документи з 1 до 20
...
1.
ІВ210996
Welker, Armin Christian.
A Quantum dot with three leads: tunnel spectroscopy in the KONDO and the FANO regime; a single-electron-transistor with current gain [Text] : diss. / A. C. Welker ; Fakultät Mathematik und Physik der Universität Stuttgart. - Stuttgart : [б.в.], 2007. - 172 p.: fig. - Бібліогр.: P.164-172

Рубрикатор НБУВ:
Тематичні рубрики:


Дод. точки доступу:
Fakultät Mathematik und Physik der Universität Stuttgart

Видання зберігається у :

2.
MFI2885/1-3
Ryter, Roland.
Analysis and development of high voltage bipolar transistors for BiCMOS smart power applications [Text] : diss / R. Ryter ; Swiss Federal institute of technology Zürich. - Zürich : [б.в.], 1996. - 211 p.:ill. - (Diss ETH ; 11446)
3 mfishe

Рубрикатор НБУВ:
Тематичні рубрики:


Дод. точки доступу:
Swiss Federal institute of technology Zürich

Видання зберігається у :

3.
MFI1990/1-2
Herrmann, Martin Rudolf.
Charge loss modelling for EPROMs with ONO Interpoly dielectric [Text] : diss. / M. R. Herrmann ; Swiss Federal institute of technology Zürich. - Zürich : [б.в.], 1991. - 103 p.:ill. - (Diss ETH ; 10817)
2 mfishe

Рубрикатор НБУВ:
Тематичні рубрики:


Дод. точки доступу:
Swiss Federal institute of technology Zürich

Видання зберігається у :

4.
ІВ222026
Zimmerling, Martin.
Ein Verfahren für die Synthese von Pass-Transistor-Schaltungen mit niedrigem Energieverbrauch [Text] : Diss. / Martin Zimmerling ; Fak. Elektrotechnik und Informationstechnik der Techn. Univ. Dresden . - Dresden, 2014. - XIV, 129 S. : Abb. - Бібліогр.: с. 121-129

Рубрикатор НБУВ:
Тематичні рубрики:


Дод. точки доступу:
Technischen Universität (Dresden). Fakultät Elektrotechnik und Informationstechnik

Видання зберігається у :
Основний фонд

5.
MFI2524/1-2
Herr, Egon.
Gate oxide integrity of BiMOS power devices [Text] : diss. / E. Herr ; Swiss Federal institute of technology Zürich. - Zürich : [б.в.], 1994. - 126 p.:fig. - (Diss. ETH ; 10678)
2 mfishe

Рубрикатор НБУВ:
Тематичні рубрики:


Дод. точки доступу:
Swiss Federal institute of technology Zürich

Видання зберігається у :

6.
ІВ193268
Dilger, Markus.
Herstellung und Charakterisierung von Einzelektronentransistoren [Text] : Diss. / M. Dilger ; Universität Stuttgart. Fak. Physik. - Stuttgart : [б.в.], 1996. - 199 S.:Abb. - Бібліогр.: s.191-199

Рубрикатор НБУВ:
Тематичні рубрики:


Дод. точки доступу:
Universität Stuttgart. Fak. Physik

Видання зберігається у :

7.
ІС11858
Löken, Michael.
Herstellung und Charakterisierung von ultraschnellen Photodetektoren [Text] : Diss. / M. Löken ; Universität zu Köln. Math.-Naturwiss. Fak. - Köln : [б.в.], 1999. - IV, 140 S.: Abb. - Бібліогр.: S.129-134

Рубрикатор НБУВ:
Тематичні рубрики:


Дод. точки доступу:
Universität zu Köln. Math. -Naturwiss. Fak.

Видання зберігається у :

8.
MFI4561/1-4
Huber, Dieter.
InP/InGaAs single hetero-junction bipolar for integrated photoreceivers at 40 Gb/s and beyond [Text] : diss. / D. Huber ; Swiss Federal institute of technology Zürich. - Zürich : [б.в.], 2002. - 213 p.: fig. - (ETH Diss ; 14504)
4 mfishe

Рубрикатор НБУВ:
Тематичні рубрики:


Дод. точки доступу:
Swiss Federal institute of technology Zürich

Видання зберігається у :

9.
ІВ219472
Baldauf, Tim.
Integration von Multi-Gate-Transistoren auf Basis einer 22 nm-Technologie [Text] : Diss. / Tim Baldauf ; Fak. Elektrotechnik und Informationstechnik der Techn. Univ. Dresden. - Dresden, 2014. - X, 187 S. : Abb. - Бібліогр.: с. 173-184

Рубрикатор НБУВ:
Тематичні рубрики:


Дод. точки доступу:
Technische Universität (Dresden). Fakultät Elektrotechnik und Informationstechnik

Видання зберігається у :
Основний фонд

10.
В276000/Cz. 1
Laboratorium układów elektronicznych [Text]. - Wrocław : Oficyna wydawnicza Politechniki Wrocławskiej, 1998 .
Cz. 1 / red. A. Prałat. - 1998. - 227 s.: rys. - Бібліогр.: v kinci st. - ISBN 83-7085-379-X

Рубрикатор НБУВ:
 З26 
Тематичні рубрики:


Дод. точки доступу:
Prałat, Andrzej (red.)

Видання зберігається у :

11.
MFI2777/1-2
Riccobene, Concetta.
Multidimensional analysis of galvanomagnetic effects in magnetotransistors [Text] : diss. / C. Riccobene ; Swiss Federal institute of technology Zürich. - Zürich : [б.в.], 1995. - 186 p.:ill. - (Diss ETH ; 11077)
2 mfishe

Рубрикатор НБУВ:
Тематичні рубрики:


Дод. точки доступу:
Swiss Federal institute of technology Zürich

Видання зберігається у :

12.
MFI5983/1-5
Palmero, Jose Miguel Ruiz.
Physical IrP-based HBT models for ultimate digital [Text] : diss. / J. M. Palmero ; Swiss Federal institute of technology Zürich. - Zürich : [б.в.], 2006. - 295 p. - (ETH-Diss ; 16859)
5 mfishe

Рубрикатор НБУВ:
Тематичні рубрики:


Дод. точки доступу:
Swiss Federal institute of technology Zürich

Видання зберігається у :

13.
ІВ215837
Tobјörk, Daniel.
Printed low-voltage organic transistors on plastics and paper [Text] : diss. / Daniel Tobјörk ; Åbo akad. univ., Dep. of natural sciences. - Åbo : Åbo akademi univ., 2012. - VIII, 104 p. : fig. - Бібліогр. в кінці ст. - ISBN 978-952-12-2724-0

Рубрикатор НБУВ:
Тематичні рубрики:


Дод. точки доступу:
Åbo akademi university. Department of natural sciences

Видання зберігається у :
Основний фонд

14.
ІВ193206
Wieczorek, Karsten.
Realisierung und Analyse von Prozeßfolgen zur Optimierung von selbstjustierten integrierten Si/SiGe Heterobipolartransistoren [Text] : Diss. / K. Wieczorek ; Ruhr-Universität Bochum. Fak. für Elektrotechnik. - Bochum : [б.в.], 1996. - XII, 207 S.:Abb. - Бібліогр.: S.:193-207

Рубрикатор НБУВ:
Тематичні рубрики:


Дод. точки доступу:
Ruhr-Universität Bochum. Fak. für Elektrotechnik

Видання зберігається у :

15.
MFI2882/1-2
von Arx, Christof Franz.
Realization and optimization of pnp transistors in a modular CB i CMOS process for analog and smart-power applications [Text] : diss. / C. F. von Arx ; Swiss Federal institute of technology Zürich. - Zürich : [б.в.], 1996. - 146 p.:ill. - (Diss ETH ; 11621)
2 mfishe

Рубрикатор НБУВ:
Тематичні рубрики:


Дод. точки доступу:
Swiss Federal institute of technology Zürich

Видання зберігається у :

16.
ІВ195322
Maier, Gert.
Technologie und Ansteuerung von Spatialen Flüssigkristall-Lichtmodulatoren mir amorphen Silizium-Dünnschichttransistoren [Text] : Diss. / G. Maier ; Universität Stuttgart. Fak. für Elektrotechnik. - Stuttgart : Institut für Netzwerk-und Systemtheorie der Univ. Stutt., 1998. - 126 S.: Abb. - Бібліогр.: S. 124-126.

Рубрикатор НБУВ:
Тематичні рубрики:


Дод. точки доступу:
Die Universität Stuttgart. Fak. für Elektrotechnik

Видання зберігається у :

17.
MFI6266/1-2
Pernstich, Kurt Peter.
The influence of trap states on charge transport in organic transistors [Text] : diss. / K. P. Pernstich ; Swiss Federal institute of technology Zürich. - Zürich : [б.в.], 2007. - 133 p. - (ETH-Diss ; 17245)
2 mfishe

Рубрикатор НБУВ:
Тематичні рубрики:


Дод. точки доступу:
Swiss Federal institute of technology Zürich

Видання зберігається у :

18.
ІВ195269
Wei, Yayi.
Two-dimensional electron system in quantum hall regime probed by metal single-electron transistor [Text] : diss. / Y. Wei ; Universität Stuttgart. Fak. für Physik. - Stuttgart : Max-Planck-Institut für Festkörperforschung, 1998. - XIV, 132 p.: fig. - Бібліогр.: p. 123-130.

Рубрикатор НБУВ:
Тематичні рубрики:


Дод. точки доступу:
Die Universität Stuttgart. Fak. für Physik

Видання зберігається у :

19.
ВА844163
Глауберман, Михаил Абович.
Биполярные магниточувствительные структуры и датчики на их основе, теория и практика [Текст] : монография / М. А. Глауберман ; [под ред. Я. И. Лепиха] ; Одес. нац. ун-т им. И. и. Мечникова. - Одесса : ОНУ, 2020. - 276 с. : рис., табл. - Назва на корінці : Биполярные магниточувствительные структуры и датчики на их основе. - Бібліогр.: с. 256-276. - 100 прим. - ISBN 978-617-689-371-4

Рубрикатор НБУВ:
УДК:
Тематичні рубрики:


Дод. точки доступу:
Лепих, Я. И. (ред.); Одесский национальный университет имени И. И. Мечникова

Видання зберігається у :

20.
Р91440
Гейфман, Евгений Моисеевич.
Высоковольтные полупроводниковые приборы с повышенным быстродействием [Текст] / Е. М. Гейфман. - Саранск : Издательство Мордовского ун-та, 2000. - 28 с.: рис. - Библиогр.: с. 26-27. - ISBN 5-7103-0518-9

Рубрикатор НБУВ:
Тематичні рубрики:


Видання зберігається у :

...
 
Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського